德州仪器LM66100±6V低I(Q)理想二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-25

摘要： 德州仪器LM66100±6V低I (Q)理想二极管提供集成单输入单输出(SISO)，非常适合各种应用。LM66100集成了一个p通道MOSFET，可以在1.5V到5.5V的输入电压范围内工作，可以支持最大1.5A的连续电流。两个LM6610...

德州仪器LM66100±6V低I (Q)理想二极管提供集成单输入单输出(SISO)，非常适合各种应用。LM66100集成了一个p通道MOSFET，可以在1.5V到5.5V的输入电压范围内工作，可以支持最大1.5A的连续电流。

两个LM66100低I(Q)理想二极管可用于类似双二极管环形实现的环形配置。这种配置允许LM66100通过最高的输入电压到输出，同时阻断反向电流流入输入电源。LM66100理想二极管可以比较输入和输出电压，确保反向电流通过内部电压比较器阻塞。

LM66100工作在结温度范围-40°C至125°C可在标准SC-70包。

特性

工作电压范围宽:1.5V - 5.5V
V(IN)反向电压关断:-6V绝对最大值
最大连续电流(IMAX): 1.5A
导通电阻(R ):
- 5V V(IN) = 79毫欧(典型)
- 3.6V V(IN) = 91毫欧(典型)
- 1.8V V(IN) = 141毫欧(典型)

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