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Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-25

摘要： Qorvo QPD0005氮化镓射频晶体管是封装在塑料过模DFN封装中的SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的单道离散氮化镓。这些射频晶体管的频率范围在2.5GHz到5GHz之间。QPD0005射频晶体管是单级的，无与伦比的晶体管，能够...

Qorvo QPD0005氮化镓射频晶体管是封装在塑料过模DFN封装中的SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的单道离散氮化镓。这些射频晶体管的频率范围在2.5GHz到5GHz之间。QPD0005射频晶体管是单级的，无与伦比的晶体管，能够在48V操作下提供8.7W的P(SAT)。这些晶体管的尺寸为4.5mm x 4.0mm，符合RoHS标准。应用包括WCDMA / LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小蜂窝、有源天线、5G海量MIMO和通用应用。

规范

2.5GHz ~ 5GHz工作频率范围
48V工作漏极电压
8.7W最大输出功率(P(SAT))在3.6GHz

3.6GHz时最大漏极效率为72.9%
18.8dB效率调谐P3dB增益@ 3.6GHz
4.5mm x 4.0mm DFN封装

应用程序

WCDMA / LTE
宏单元基站
微蜂窝基站
小细胞

有源天线
5 g大规模分布式天线
通用应用程序

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