罗姆半导体RGS Field Stop Trench汽车igbt是AEC-Q101额定的汽车igbt，有1200V和650V的变体。这些igbt提供一流的低导通损耗，有助于减小尺寸和提高应用效率。RGS igbt采用了原始的沟槽栅和薄晶片技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压(V(CE(sat)))，减少开关损耗。这些igbt在各种高电压和大电流应用中提供了更高的节能。

特性

• 等级领先的低导通损耗

• 效率高

• 减少尺寸

• 可提供1200V和600V额定值

• 利用沟槽闸门和薄晶片技术

• 提供低的集电极-发射极饱和电压

• 降低切换损失

• 增加节能

• AEC-Q101合格

• - 247 n包

应用程序

• 汽车和工业用通用变频器

• 正温度系数(PTC)加热器

• 电动压缩机

性能图表