英飞凌科技CoolGaN 氮化镓e-mode HEMTs的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-04

摘要： 英飞凌CoolGaN 氮化镓e-mode hemt具有卓越的优点，包括卓越的效率、可靠性、功率密度和最高的质量。CoolGaN是一种高性能晶体管技术，可在高达600V的电压范围内进行功率转换。CoolGAN的横向晶体管结构具有极低的栅极和输...

英飞凌CoolGaN 氮化镓e-mode hemt具有卓越的优点，包括卓越的效率、可靠性、功率密度和最高的质量。CoolGaN是一种高性能晶体管技术，可在高达600V的电压范围内进行功率转换。CoolGAN的横向晶体管结构具有极低的栅极和输出电荷，快速开关，没有体二极管或反向恢复电荷。这些特性使得晶体管被用来设计高效率和高频的功率转换电路。英飞凌的CoolGaN采用自夹紧p型栅极结构。

英飞凌酷根质量非常适合硬开关和软开关拓扑，可提高记录效率(99%)，并有可能节省BOM。CoolGaN使PFC能够适应更简单的半桥拓扑，包括消除有损输入桥整流器。亚硝酸盐镓(GaN)提供了更高的临界电场，使其成为功率半导体器件的理想选择，与硅mosfet相比，它具有出色的比动态通态电阻和更小的电容。这使得高速交换成为可能。