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MDmesh DM6超级结mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-04

摘要： DM6超级结mosfet针对ZVS、全桥和半桥拓扑进行了优化。由于击穿电压为600V, MDmesh DM6功率mosfet结合了优化的电容轮廓和寿命终止过程。MDmesh DM6 mosfet提供了低门电荷(Q (g))，回收费用很低(Q...

DM6超级结mosfet针对ZVS、全桥和半桥拓扑进行了优化。由于击穿电压为600V, MDmesh DM6功率mosfet结合了优化的电容轮廓和寿命终止过程。MDmesh DM6 mosfet提供了低门电荷(Q (g))，回收费用很低(Q (rr))，恢复时间较短(t (rr))和一个极好的R 每区域(DS )。

特性

极低R(DS(on))区，极低栅电荷(Q(g))，极低恢复电荷(Q(rr))
优化电容配置为轻负载条件
极高的dV / dt
优化体二极管恢复相位

优化的柔软
极高的效率性能和增加功率密度
在零电压组、全桥和半桥拓扑中实现更强大的功率转换
高工作频率和优良的热管理
低EMI

应用程序

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