ON Semiconductor FFSP SiC肖特基二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-20

摘要： FFSP SiC(碳化硅)肖特基二极管是为了充分利用碳化硅比硅器件的优势而设计的。FFSP SiC肖特基二极管具有明显更高的正向浪涌能力，更低的反向泄漏，没有反向恢复电流。这些SiC肖特基二极管还具有温度无关的开关特性和优异的热性...

ON Semiconductor FFSP SiC(碳化硅)肖特基二极管是为了充分利用碳化硅比硅器件的优势而设计的。FFSP SiC肖特基二极管具有明显更高的正向浪涌能力，更低的反向泄漏，没有反向恢复电流。这些SiC肖特基二极管还具有温度无关的开关特性和优异的热性能。这提高了系统效率，加快了操作频率，增加了功率密度，减少了电磁干扰，并减少了系统尺寸和成本。

ON Semiconductor FFSP SiC肖特基二极管采用行业标准的220- 2l封装。这使得设计人员可以使用它们作为硅材料的临时替代品，从而在最短的时间内提高效率，降低操作温度，减少对系统的修改。