600V CoolMOS P7 mosfet

英飞凌600V CoolMOS P7 mosfet是第7代器件，采用革命性的高压功率mosfet技术。这些晶体管是根据超结(SJ)原理设计的，并由英飞凌技术开创。600V CoolMOS P7结合了快速开关SJ MOSFET的优点和卓越的易用性。600V P7具有非常低的振铃倾向，出色的抗硬整流体二极管的鲁棒性和优异的ESD能力。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用程序更加高效、紧凑和更冷。

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700V CoolMOS P7 mosfet

英飞凌700V CoolMOS P7 mosfet具有用于高压功率mosfet的革命性技术。700V是根据英飞凌首创的超结(superjunction, SJ)原理设计的。最新的700V CoolMOS P7是一个优化的平台，专门针对消费市场的成本敏感应用，如充电器，适配器，照明，电视等。

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800V CoolMOS P7 mosfet

英飞凌800V CoolMOS P7 mosfet结合了一流的性能和易用性。P7为800V超级结技术树立了新的标杆。晶体管提供高达0.6%的效率增益和2°C到8°C低MOSFET温度。

该晶体管具有优化的器件参数，如Eoss和Qg降低50%以上，降低Ciss和Coss。CoolMOS P7还可以通过更低的开关损耗和更好的DPAK RDS(on)产品实现更高的功率密度设计。CoolMOS P7是一个完美的适合低功率SMPS应用。

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950V CoolMOS P7 SJ mosfet

英飞凌950V CoolMOS P7 SJ mosfet采用950V超级结技术，将一流的性能与最先进的易用性结合在一起。这些mosfet带有集成的齐纳二极管静电放电(ESD)保护。集成二极管提高了ESD的稳健性，减少了ESD相关的产量损失，并提供了特殊的易用性水平。这些mosfet提供3V vg (th)和仅±0.5V的窄公差，使其易于驱动和设计。950V SJ mosfet提供低DPAK R(DS(on))，从而实现更高的密度，同时降低BOM和组装成本。

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