Microsemi碳化硅(SiC)场效应管提供了优越的动态和热性能的传统硅(Si)功率场效应管。这些mosfet具有低电容，低栅极电荷，快速开关速度，和良好的雪崩强度。SiC mosfet能够在175°C的高结温下稳定工作。这些mosfet提供高效率和低开关损耗。SiC mosfet不需要任何自由二极管，降低了系统成本。典型的应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电和配电。

特性

• 低电容和低栅电荷

• 良好的动力及热力性能

• 转换速度快

• 在175°C结温下稳定运行

• 一种快速可靠的体二极管

• 良好的雪崩强度

• 高效率，低开关损耗

• 简单的驱动

• 消除了对外部自由二极管的需要

• 系统成本低

• AEC-Q101资格

应用程序

• 驱动系统

• 汽车

• 商业航空

• 集成的车辆系统

• 医学成像

• 电机控制

• 光伏解决方案

• 动力系统和电动汽车充电

• 安全文化遗产

• 无人机(UAV)

选择指南

• 功率半导体，功率模块和射频功率mosfet目录

• 碳化硅产品宣传册

资源

• SiC mosfet的设计建议

• 双SiC MOSFET驱动参考设计

• SiC SP3模块驱动参考设计

• SiC SP6LI模块驱动参考设计