摘要: Nexperia Trench 9超级结mosfet将低压超级结技术与先进的封装设计相结合,提供高性能和坚固性。Trench 9 mosfet均符合AEC-Q101的要求,并且在关键可靠性测试(包括温度循环(TC)、高温栅偏置(HTGB)、...
这些n通道,40V Trench 9 mosfet提供了改进的功率密度和效率,R(DSon)范围从1.4毫欧到3.5毫欧,以及异常的单次发射和重复雪崩性能。Nexperia Trench 9超级结mosfet提供紧凑的30mm(2) LFPAK56和LFPAK56E封装。他们的封装设计和功率密度使他们可以作为DPAK和D2PAK mosfet的替代品,而且占地面积更小。
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