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SiC功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-07

摘要： 碳化硅(SiC)功率MOSFET降低开关损耗，最大限度地减少栅极振铃。C3M0075120J MOSFET提供17ns的接通延迟时间(td ( )), 1200 v (DS)漏源极电压，113.6W功耗。这种MOSFET提供了高系统效率，...

碳化硅(SiC)功率MOSFET降低开关损耗，最大限度地减少栅极振铃。C3M0075120J MOSFET提供17ns的接通延迟时间(td ), 1200 v (DS)漏源极电压，113.6W功耗。这种MOSFET提供了高系统效率，增加功率密度，并降低冷却要求。C3M0075120J具有低导通电阻和低栅电荷，非常适合三相和无桥式PFC拓扑。该C3M0075120J SiC功率MOSFET是符合RoHS和无卤素器件。应用包括可再生能源，电动汽车(EV)电池充电器，高压DC/DC变换器，和开关模式电源。

特性

带驱动源引脚的低阻抗封装
漏极到源极之间漏电距离7mm
高阻塞电压，低导通电阻

低电容的高速开关
低反向恢复快速本征二极管(Qrr)

规范

30A连续漏极电流(I(D)) @ 25°C
75毫欧漏源通态电阻(R(DS(on))

-55°C至+150°C工作温度
功耗为113.6W

应用程序

可再生能源
电动汽车电池充电器

高压DC/DC变换器
开关型电源

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