Everspin Technologies emd4e001 1g自旋转矩磁性RAM (MRAM)是1Gb的非易失性ST-DDR4内存，结构为128Mb x8和64Mb x16。emd4e001提供更有效的I/O流管理，允许存储oem显著提高其产品的服务质量。该设备采用DDR (Double Data Rate)架构，实现高速运行。ST-DDR4体系结构是一种8n预取体系结构，其接口设计为在I/O管脚上每个时钟周期传输两个数据字。特点包括多用途寄存器读和写能力，每设备可寻址性(PDA)，和设备上终止。该MRAM工作在0°C至85°C的温度范围。EMD4E001G MRAM与Xilinx FPGA控制器兼容，并在存储和fabric/软件加速器、计算存储和其他应用程序中提供持久的数据缓冲区。