晶体三极管（以下简称三极管）按材料可分为两类：锗管和硅管。每种都有两种结构形式的NPN和PNP，但使用最多的是硅NPN和PNP三极管。除电源极性不同外，其工作原理相同。以下仅介绍NPN硅晶体管的电流放大原理。

图：晶体三极管（NPN）的结构图。图1是NPN管的结构图，NPN管由两个n型半导体夹一个p型半导体组成。从图中可以看出，在发射区和基极区之间形成的PN结称为发射结，而在集电极区和基极区之间形成的PN结称为集电极结，三根引线分别称为发射极e、基极B和集电极。当点B处的电势比点E处的电势高出零点几伏时，发射极结处于正偏压状态，而当点C处的电势比点B处的电势高出零点几伏时，集电极结处于反向偏压状态，集电极电源EC高于基本电源EBO。

在制作三极管时，要有意识地使发射区的大部分载流子浓度大于基区的载流子浓度，并且基区非常薄，并严格控制杂质含量。这样，一旦开启电源，由于正确的发射结，发射区域中的大多数载流子（电子）和基极区域中的大多数载流子（控制孔）可以容易地穿过发射结构并以相反方向相互扩散，由于前者的浓度基础大于后者，因此通过发射极结的电流基本上是一种电子流，称为发射极电流，即由于薄基极区和集电极结的反向偏置，注入基极区的大多数电子穿过集电极结，进入集电极区形成集电极电流IC。

只有少数（1-10%）电子在基极区域的空穴中被复合，并且基极区域中的复合空穴被基极电源EB补充，从而形成基极电流IBO。根据电流连续性原理，即ie=IB+IC，即在基极上加一个小IB可以在集电极上得到一个大IC，这就是所谓的电流放大。IC和IB保持一定的比例关系，即：β1=IC/IB，其中：β-，称为DC放大率，以及变化的比率△ 集电极电流对IC的影响△ 基极电流的IB为：β=△ IC/△ IB，其中β——称为交流电流放大率，由于低频率β1和β，两个值之间几乎没有差异，因此有时为了方便起见，没有严格区分这两个值，β值约为几十到100以上。

三极管是一种电流放大器件，但在实际应用中，往往利用三极管的电流放大效应通过电阻转换为电压放大。