达尔科技DGD0579U High-Side和Low-Side Gate Driver是一种高频门驱动，具有内部自举二极管，能够驱动半桥结构的n通道mosfet。在bootstrap配置中，浮动高侧驱动器的额定电压高达100V。DGD0579U逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)，方便与mcu接口。用于高侧和低侧的UVLO将保护mosfet的供应损失。交叉导防逻辑也保护mosfet通过防止HO和LO同时开启。快速和匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，实现更小、更紧凑的功率开关设计，使用更小的相关组件。一个内部引导二极管包括到最小的空间，和二极管公司。DGD0579U采用W-DFN3030-10封装，可在-40°C至+125°C的扩展温度范围内工作。

特性

• 100V浮动高侧驱动器

• 以半桥结构驱动两个n通道mosfet

• 5A源/ 2.5A sink输出电流能力

• 内部自举二极管

• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定

• 延迟匹配最大10ns

• 传播延迟典型为60ns

• 逻辑输入(HIN、LIN、EN) 3.3V能力

• 超低备用电流(<1µ)

• 扩展温度范围-40°C至+125°C

• 完全无铅，符合RoHS标准

• 无卤、无锑“绿色”器件

应用 

• 直流-直流转换器

• 电机控制

• 电池驱动的手工具

• D类功率放大器

原理框图