Infineon Technologies optimmos 6 100V功率mosfet采用SuperSO8和PQFN 3.3 x 3.3封装，并针对电信和太阳能等高开关频率应用进行了优化，在这些应用中，损耗与电荷(开关)和通态电阻(传导)有关。此外，由于最好的R(DS(on))和更广泛的安全操作区域(SOA)，该设备也是电池供电应用(BPA)和电池管理系统(BMS)的理想选择。

与optimmos 5技术相比，英飞凌领先的薄晶片技术能够显著提高性能——请参阅以下特性。

特性

• 与上一代/ OptiMOS 5技术相比:

• FOM Q(g) x R(DS(on)) = -29%

• FOM Q(gd) x R(DS(on)) = -42%

• 降低18%的R(DS(on))和更广泛的SOA

• 显著改进了FOMs，提高了效率:

• 较低和较软的反向恢复费用(Q(rr))

• 优化的高开关频率应用(如太阳能，电信)

• 由于更容易的热设计和更少的并行，系统成本降低

• MSL 1根据J-STD-020分类

• 对高开关频率应用(如太阳能、电信)具有有利的性价比

• 低传导损失

• 低开关损耗

• 快速开关

• RoHS符合,无铅

应用程序

• SMPS(电信、服务器、充电器/适配器、电视电源等)

• 太阳能

• 电池管理系统(BMS)

• 电池驱动应用(电动工具、无人机/多直升机、机器人)

• 电机控制

主打产品

查看optimmos 6 100V功率mosfet

资源

• 应用说明:optimmos 6 100V壮举。最新沟槽MOSFET技术

信息图表

英飞凌电源和传感选择指南