SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC n通道MOSFET具有低电容和高系统效率。这种MOSFET具有高速开关、增加的功率密度、减少散热器尺寸和可靠的体二极管。GP2T080A120U 1200V SiC n通道MOSFET器件的测试电压为1400V以上，雪崩测试电压为200mJ。这种MOSFET可用于太阳能逆变器、电动汽车充电站、感应加热和焊接以及电机驱动器等应用。

特性

• 高速开关

• 可靠的体二极管

• 增加功率密度

• 效率高

• 减少吸热大小

• 所有部件在1400V以上测试

• 雪崩测试到200mJ

规范

• 1200V漏源极电压(@ V(GS)=0V, I(D)=1μA)

• -5V/20V栅源电压(@推荐工作条件)

• 工作温度范围-55°C至175°C

• 连续漏极电流范围(@ T(C)=25°C至100°C, V(GS)=20V)

• 80A脉冲漏极电流(@ T(C)=25°C)

应用程序

• 太阳能逆变器

• 开关型电源

• 马达驱动器

• 感应加热及焊接

• 电动汽车充电站

• 高压DC/DC转换器