瑞萨M3xxx316并行MRAM存储器是一款磁阻随机存取存储器(MRAM)，其密度范围从4Mbit到32Mbit。MRAM技术类似于Flash技术，SRAM兼容35ns/35ns和45ns/45ns读/写计时(持久化SRAM, P-SRAM)。数据总是不可变的。这个特性使MRAM成为一个非常可靠和快速的非易失性存储器解决方案。

MRAM是一种真正的随机存取存储器，它允许读写在内存中随机发生。MRAM对于那些必须存储和检索数据而又不会引起大延迟的应用程序来说是理想的。它提供了低延迟、低功耗、几乎无限的持久性和数据保留、高性能和可伸缩的存储技术。

瑞萨电子M3xxx316可提供工业(-40°C至85°C)和工业+(-40°C至105°C)工作温度范围。

特性

• 接口

• 并行异步乘16

• 技术

• 40 nm pMTJ STT-MRAM

• 数据保留

• 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb

• 工作电压范围

• V(cc): 2.70v - 3.60v

• 工作温度范围

• -40°C至85°C工业

• -40°C至105°C工业+

• 通过无铅认证,达到兼容的

• 包

• 44针TSOP (10mm x 18mm)

• 54引脚TSOP (10mm x 22mm)

• 48球FBGA (10mm × 10mm)

• 内存数组组织

• 4Mbit - 262,144 × 16

• 8Mbit - 524,288 × 16

• 16Mbit - 1048,576 × 16

• 32Mbit - 2097152 × 16

应用程序

• 非常适合那些必须存储和检索数据而不会导致大延迟的应用程序

• 工厂自动化

• 多功能打印机

• 工业控制与监控

• 医学诊断

• 数据交换机和路由器

• 智能电表

框图