IXYS IXFxN60X x3级HiPerFET 功率mosfet采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，提供了一流的优点值(通阻时间栅电荷)。这些特性转化为低导通和开关损耗。由于反向恢复电荷和时间较低，阀体二极管能够在高速切换过程中去除所有剩余能量，从而避免设备故障，实现高效率。600V IXFxN60X x3级HiPerFET 功率mosfet具有雪崩能力，表现出卓越的dv/dt性能，并且在电压尖峰和寄生双极晶体管的意外开启导致的器件故障方面非常强大。IXYS的这些坚固的设备需要较少的缓冲器，可以用于硬开关和软开关电源转换器。

特性

• 低通电阻[RDS(ON)]和栅电荷(Qg)

• n沟道增强型

• 雪崩额定

• 快速软恢复体二极管

• 标准的TO-220, TO-247和TO-268HV封装

• 低电感

• 高功率密度

• 容易安装

• 节省了空间

• 如果技术

• 单通道

• 通孔或表面安装

应用程序

• 开关模式和谐振模式电源

• 直流-直流转换器

• PFC电路

• 交流和直流电机驱动

• 机器人技术和伺服控制

规范

• 600 v最大额定值

• 5V门源阈值电压

• 600 v gate-source电压

• 时间范围

• 4ns到6ns下降

• 从8秒上升到18秒

• 典型的接通延迟为23ns到35ns

• 45ns到76ns的典型关断延迟

• 30毫欧到90毫欧漏源极电阻范围

• 29nC至90nC栅电荷范围

• 功耗范围446W ~ 960W

• 25µA至50µA的连续漏电流范围

• 2到3个引脚，取决于包装的风格

• -55°C至+150°C的温度范围