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IXYS XPT GenX5 Trench igbt的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-04-13

摘要: 第五代沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区域和650V击穿电压。


    IXYS XPT GenX5 Trench IGBT采用专有的XPT薄晶片技术和最先进的第五代(GenX5) Trench IGBT工艺开发。这些器件具有降低热阻,低能量损耗,快速开关,低尾电流和高电流密度。XPT GenX5沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区(RBSOA)和650V击穿电压,使其成为无缓冲器硬开关应用的理想选择。这些igbt还包括一个正的集电极到发射极电压温度系数,使设计人员能够同时使用多个器件来满足高电流要求。这些器件的低栅电荷有助于降低栅驱动要求和开关损耗。


    IXYS XPT GenX5沟槽igbt可在to -220-3 (IXYP60N65A5)和to -247-3 (IXYH90N65A5和IXYH120N65A5)封装具有宽-55°C至+175°C的结温范围。


    特性

    • Low V(CE(sat)), Low E(on)/E(off)

    • 优化低频大电流开关

    • 高浪涌电流能力

    • 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)

    • V(CE(sat))的正热系数

    • 低闸门驱动要求

    • 国际标准包装


    应用程序

    • 电源逆变器

    • 联合包裹

    • 马达驱动器

    • smp

    • PFC电路

    • 电池充电器

    • 焊接机器

    • 灯镇流器


    规范

    • 集电极-发射极电压(V(CES)): 650V

    • 集极饱和电压(V(CE(sat)): 1.35V

    • 集电极电流25°C (I(C25))

      • IXYP60N65A5: 134

      • IXYH90N65A5: 220

      • IXYH120N65A5: 290

    • 集电极110°C电流(I(C110))

      • IXYP60N65A5: 60

      • IXYH90N65A5: 90

      • IXYH120N65A5: 120

    • 电流下降时间(T(fi(typ)))

      • IXYP60N65A5: 110 ns

      • IXYH90N65A5: 160 ns

      • IXYH120N65A5: 160 ns

    • 结温范围(T(J)): -55°C至+175°C

      • IXYP60N65A5: - 220 - 3

      • IXYH90N65A5: - 247 - 3

      • IXYH120N65A5: - 247 - 3


    引脚图



    - 220 - 3规格尺寸



    - 247 - 3规格尺寸


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