摘要: 第五代沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区域和650V击穿电压。
IXYS XPT GenX5 Trench IGBT采用专有的XPT薄晶片技术和最先进的第五代(GenX5) Trench IGBT工艺开发。这些器件具有降低热阻,低能量损耗,快速开关,低尾电流和高电流密度。XPT GenX5沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区(RBSOA)和650V击穿电压,使其成为无缓冲器硬开关应用的理想选择。这些igbt还包括一个正的集电极到发射极电压温度系数,使设计人员能够同时使用多个器件来满足高电流要求。这些器件的低栅电荷有助于降低栅驱动要求和开关损耗。
IXYS XPT GenX5沟槽igbt可在to -220-3 (IXYP60N65A5)和to -247-3 (IXYH90N65A5和IXYH120N65A5)封装具有宽-55°C至+175°C的结温范围。
Low V(CE(sat)), Low E(on)/E(off)
优化低频大电流开关
高浪涌电流能力
方形反向偏置安全工作区(RBSOA)
V(CE(sat))的正热系数
低闸门驱动要求
国际标准包装
电源逆变器
联合包裹
马达驱动器
smp
PFC电路
电池充电器
焊接机器
灯镇流器
集电极-发射极电压(V(CES)): 650V
集极饱和电压(V(CE(sat)): 1.35V
集电极电流25°C (I(C25))
IXYP60N65A5: 134
IXYH90N65A5: 220
IXYH120N65A5: 290
集电极110°C电流(I(C110))
IXYP60N65A5: 60
IXYH90N65A5: 90
IXYH120N65A5: 120
电流下降时间(T(fi(typ)))
IXYP60N65A5: 110 ns
IXYH90N65A5: 160 ns
IXYH120N65A5: 160 ns
结温范围(T(J)): -55°C至+175°C
包
IXYP60N65A5: - 220 - 3
IXYH90N65A5: - 247 - 3
IXYH120N65A5: - 247 - 3
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