意法半导体EVSTGAP2SICSN/C评估板设计用于评估STGAP2SICSN隔离单门驱动器。STGAP2SICSNTR 4A单门驱动器提供栅极驱动通道和低电压控制和接口电路之间的电隔离。

STM EVSTGAP2SICSN/C板允许评估STGAP2SICSN的所有特性，同时驱动额定电压高达520V的半桥电源级。增加母线电压是通过在H2PACK-7L或H2PACK-2L封装中更换适当的设备和C29电容来实现的。该板组件易于访问和修改，使驱动器在不同应用条件下的性能评估更容易，并对最终应用组件进行微调。

特性

• 董事会
  

• 半桥式配置，高压导轨可达520V

• SCT35N65: 650V, 55毫欧 SiC MOSFET

• 非门驾驶

• 车载隔离DC-DC变换器提供高侧和低侧栅极驱动器，VAUX = 5V供电，最大隔离5.2kV

• 3.3V车载VDD逻辑电源或5v(外接)

• + 17/0V;+ 17/-3 v;+ 19/0V;+19/-3V简单的跳线选择驱动电压配置

• 设备
  

• 4A源/汇@ 25°C驱动电流能力

• 独立的接收器和源输出易于栅极驱动配置

• 75ns短传播延迟

• UVLO函数

• 栅极驱动电压可达26V

• 3.3V, 5V TTL/CMOS滞后输入

• 关闭温度保护

• 备用功能

顶级的布局

概述