意法半导体EVSTDRIVEG600DM演示板提供了半桥拓扑参考设计，将STDRIVEG600栅极驱动器与MDmesh DM2功率MOSFET配对。STDRIVEG600是一款用于GaN(氮化镓)eHEMTs(增强模式高电子迁移率晶体管)或n沟道功率mosfet的单芯片半桥门驱动器。STDRIVEG600的高侧设计可以承受高达600V的电压，适用于总线电压高达500V的设计。

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG演示板包括一个预安装在SO-16封装中的STDRIVEG600和一个STL33N60DM2 115毫欧 600V MDmesh DM2功率MOSFET在PowerFLAT 8x8高压封装中的开氏源。演示板还具有一个板载可编程死区时间发生器和一个3.3V线性电压调节器，以提供外部逻辑控制器，如微控制器。

包括备用占用，以允许为最终应用定制板，如单独的输入信号或单PWM信号，使用可选的外部引导二极管，VCC, PVCC或BOOT的单独电源，以及使用峰值电流模式拓扑的低侧分流电阻。

特性

• 基于STDRIVEG600 Gate Driver的半桥拓扑结构

• STL33N60DM2 115毫欧 600V MDmesh DM2功率MOSFET
  

• PowerFLAT高压成套开尔文电源

• ST715M33R 3.3V LDO线性稳压器

• 高达500V的高压母线

• 4.75V至6.5V V(CC)栅极驱动器电源电压，受GaN V(GS)额定值限制

• 板载可调死区时间发生器转换单脉宽调制信号在独立的高侧和低侧死区时间

• 可选的独立输入与外部死区时间

• 25°C/W结到环境的热电阻，用于评估大功率拓扑

• 用于栅GaN功率晶体管监控的高频连接器

• 可选的下部分流

• 50mm x 70mm FR-4 PCB

• 通过无铅认证

文档

• 简单的数据

• 原理图

• 物料清单

板布局