意法半导体公司EVALMASTERGAN3演示板提供了基于集成GaN ehemt的masteran3高压驱动器的半桥拓扑参考设计。集成电源gan具有150毫欧和650V漏源击穿电压的R(DS(ON))。集成的自举二极管可以快速提供嵌入式栅极驱动器的高端。

意法半导体公司的EVALMASTERGAN3演示板在QFN包中预先安装了MASTERGAN3驱动程序。演示板还包括一个板载可编程输入死区时间发生器与单个V(CC)电源。嵌入式线性稳压器提供了一个3.3V的导轨，以提供像微控制器或fpga这样的低压逻辑电路。

包括备用占用，以使定制板的最终应用，如单独的输入信号或单PWM信号，使用可选的外部引导二极管，单独的电源V(CC)， P(VCC)，或V(bo)，和使用低侧分流电阻的峰值电流模式拓扑。

特性

• 半桥评估板配备masteran3高压驱动器

• 两个集成的650V GaN ehemt

• 9mm x 9mm QFN包装

• KF33BD-TR 3.3V LDO稳压器，用于外部电路电源(高达50mA)

• 用于MASTERGAN3 GL和GH管脚监控的高频连接器

• V(CC)输入螺丝连接器或引脚带配置为MASTERGAN3电源电压

• 一套完整的功能，以驱动MASTERGAN3与单一或补充的驱动信号

• 嵌入式死区时间发生器，将单个PWM信号转换为双互补LIN和HIN信号，独立可调死区时间

• 35°C/W结对环境热阻评估大功率拓扑

• 低侧分流电容、外置自举电容和高压大容量电容的预留空间

• 50mm x 70mm FR-4 PCB

• 通过无铅认证

板布局