ROHM半导体QH8K双Nch+Nch小信号mosfet支持40V或60V耐压。该系列适用于24V输入设备，如工厂自动化设备和安装在基站上的电机(冷却风扇)。QH8K器件由低导通电阻Nch MOSFET组成，与传统ROHM产品相比降低了58%。这导致了组件的低功耗。这些mosfet来在一个小，表面贴装TSMT8封装有8个终端和无铅电镀。ROHM半导体QH8K双Nch+Nch小信号mosfet非常适合用于开关应用。

特性

• 双重Nch + Nch极性

• 8终端

• 低导通电阻

• 小型表面贴装封装(TSMT8)

• 非常适合开关应用

• Pb-free镀

• 通过无铅认证

• 无卤素

规范

• 40V或60V漏源电压(V(DSS))

• 17.7毫欧， 30毫欧， 44毫欧，或90毫欧 R(DS(on))最大值

• ±3A、±4.5A、±5.5A或±8A漏极电流ID

• 1.5 w的功率损耗