ROHM Semiconductor QH8M Dual Nch+Pch Small Signal mosfet支持40V或60V耐压，并将超低导通电阻的Nch+Pch mosfet组合在一个小的，表面安装的TSMT8封装中。该系列适用于24V输入设备，如工厂自动化设备和安装在基站上的电机(冷却风扇)。这些设备有助于降低设备的功耗。QH8MB5提供44毫欧/41毫欧 R(DS(on))最大值和±4.5A/±5A漏电流ID，而QH8MC5提供90毫欧/91毫欧 R(DS(on))最大值和±3A /3.5A漏电流ID。ROHM半导体QH8M双Nch+Pch小信号mosfet具有1.5W功耗，无铅电镀，符合RoHS。QH8M系列是开关应用的理想选择。

特性

• 双重Nch + Pch极性

• 8终端

• 低导通电阻

• 小型表面贴装封装(TSMT8)

• 非常适合开关应用

• Pb-free镀

• 通过无铅认证

• 无卤素

规范

• QH8MB5
  

• 漏源电压(V(DSS))

• 44米欧姆/ 41米欧姆R (DS(上))最大

• ±4.5A/±5A漏极电流ID

• 1.5 w的功率损耗

• QH8MC5
  

• 60V/-60V漏源电压(V(DSS))

• 90欧姆/ 91欧姆R (DS(上))最大

• ±3A /3.5A漏极电流ID

• 1.5 w的功率损耗