ROHM Semiconductor SH8M双Nch+Pch功率MOSFET包括两个60V MOSFET在一个小的，表面安装的SOP8封装有8个终端。低导通电阻，漏极电流ID±6.5A/±7A，最大32毫欧到33毫欧 R(DS(on))，功耗2W。ROHM半导体SH8M双Nch+Pch功率MOSFET采用无铅化电镀，无卤素，符合RoHS。SH8M是开关应用的理想选择。

特性

• 双重Nch + Pch极性

• 8终端

• 低导通电阻

• 小表面安装包(SOP8)

• 非常适合开关应用

• Pb-free镀

• 通过无铅认证

• 无卤素

规范

• -60V至60V漏源电压(V(DSS))

• 32毫欧到33毫欧 R(DS(on))最大值

• ±6.5A/±7A漏极电流ID

• 2 w功率损耗

比较图

规模较小,组件数量

解决方案示例

·QH8MC5(±60V Nch+Pch Dual MOSFET) + BD63001AMUV(3相无刷电机预驱动IC)
·SH8KB6 (+40V Nch+Nch Dual MOSFET) + BM62300MUV(3相无刷预驱动IC)
·SH8KB6 (+40V Nch+Nch Dual MOSFET) + BD63002AMUV(3相无刷预驱动IC)