ROHM Semiconductor SH8K双Nch+Nch功率mosfet具有两个40V或60V mosfet，在一个小的，表面安装的SOP8封装有8个终端。SH8K系列提供低导通电阻和最大R(DS(on)) 8.4毫欧， 12.4毫欧或19.4毫欧。其他特点是2W功耗和±8.5A，±10.5，或±13.5A漏极电流ID。这些符合rohs的mosfet是无卤素和使用无铅化电镀。ROHM半导体SH8K双Nch+Nch功率mosfet是开关应用的理想选择。

特性

• 双重Nch + Nch极性

• 8终端

• 低导通电阻

• 小表面安装包(SOP8)

• 非常适合开关应用

• Pb-free镀

• 通过无铅认证

• 无卤素

规范

• 40V或60V漏源电压(V(DSS))

• 8.4毫欧， 12.4毫欧，或19.4毫欧 R(DS(on))最大值

• 漏极电流ID:±8.5A，±10.5或±13.5A

• 2 w功率损耗