摘要: 1700V SiC MOSFET具有11nC栅电荷,29欧姆栅电阻和750毫欧通电阻。
IXYS LSIC1MO170T0750 n通道SiC MOSFET是一个1700V碳化硅(SiC) MOSFET优化的高频,高效率应用。该MOSFET具有极低的11nC栅电荷,低11.5pF输出电容,低29欧姆栅电阻用于高频开关。LSIC1MO170T0750 MOSFET还具有极低的漏源极通态电阻750毫欧(典型的,在I(D) = 2A, V(GS) = 20V)。该器件的低栅电荷和导通电阻分别转化为较低的导通和开关损耗。
IXYS LSIC1MO170T0750 SiC MOSFET提供了一个TO-263-7L封装与额外的间隙之间的源和门引脚。分离的源引脚显著减少了寄生源电感到驱动器的路径,这有助于提高高功率应用的效率。
优化的高频,高效的应用
漏源极电压(V(DS))
11nC栅电荷(Q(g))
11.5pF输出电容(C(OSS))
29欧姆高频开关门电阻(R(G))
超低750毫欧通阻(R(DS(ON)))
在所有温度下正常关闭操作
-55°C至+175°C工作结温度(T(J))
优化的TO-263-7L封装与单独的驱动源引脚
火星科学实验室1额定
通过无铅认证
高频应用
太阳能逆变器
开关模式电源(SMPS)
联合包裹
马达驱动器
高压DC-DC转换器
电池充电器
感应加热
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