IXYS LSIC1MO170T0750 n通道SiC MOSFET是一个1700V碳化硅(SiC) MOSFET优化的高频，高效率应用。该MOSFET具有极低的11nC栅电荷，低11.5pF输出电容，低29欧姆栅电阻用于高频开关。LSIC1MO170T0750 MOSFET还具有极低的漏源极通态电阻750毫欧(典型的，在I(D) = 2A, V(GS) = 20V)。该器件的低栅电荷和导通电阻分别转化为较低的导通和开关损耗。

IXYS LSIC1MO170T0750 SiC MOSFET提供了一个TO-263-7L封装与额外的间隙之间的源和门引脚。分离的源引脚显著减少了寄生源电感到驱动器的路径，这有助于提高高功率应用的效率。

特性

• 优化的高频，高效的应用

• 漏源极电压(V(DS))

• 11nC栅电荷(Q(g))

• 11.5pF输出电容(C(OSS))

• 29欧姆高频开关门电阻(R(G))

• 超低750毫欧通阻(R(DS(ON)))

• 在所有温度下正常关闭操作

• -55°C至+175°C工作结温度(T(J))

• 优化的TO-263-7L封装与单独的驱动源引脚

• 火星科学实验室1额定

• 通过无铅认证

应用程序

• 高频应用

• 太阳能逆变器

• 开关模式电源(SMPS)

• 联合包裹

• 马达驱动器

• 高压DC-DC转换器

• 电池充电器

• 感应加热

线路图

计划大纲