AP Memory八进制SPI (OPI) pram ddr的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-06-08

摘要： 物联网RAM在64M到512M密度与x8或x16组织。

AP Memory八进制SPI (OPI) PSRAM DDRs提供物联网(IoT) RAM 64M到512M密度，x8或x16组织。他们提供在WLCSP-13, WLCSP-18, WLCSP-24，和BGA-24包。根据设备的不同，它们的最大时钟频率从133MHZ到200MHz。AP内存OPI伪静态随机访问存储器(psiam) DDR的工作电源电压有1.8V和3V两种版本。

AP内存物联网RAM的应用示例(QSPI和OPI接口，6~20个最低引脚数，超低待机，高达800MB/s带宽，16Mb~512Mb密度)，用于需要低引脚数和放大器的SoC应用的内存选择;超低功耗扩展内存。

物联网RAM应用实例

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：瑞萨电子RAJ306001和RAJ306010电机控制SiP和RSSK的介绍、特性、及应用

下一篇：AP Memory四轴SPI (QSPI) psiram SDRs的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

华强商城公众号

华强商城M站

芯八哥公众号

华强微电子公众号

华强电子网公众号

AP Memory八进制SPI (OPI) pram ddr的介绍、特性、及应用

物联网RAM应用实例