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摘要： 部分MDmesh DM6快速恢复二极管系列结合非常低的恢复电荷和RDS(on)。
STMicroelectronics STO65N60DM6功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分，结合非常低的恢复电荷(Q(rr))，恢复时间(t(rr))，和在R(DS(on))上的出色改进。通过额外的驱动源引脚，STO65N60DM6提供了优异的开关性能。这种性能使STM STO65N60DM6功率MOSFET成为最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相变换器的理想器件。
身体快速恢复二极管
与上一代相比，每个区域的R(DS(on))更低
低栅电荷，输入电容和电阻
100%雪崩测试
极高的dv/dt强度
Zener-protected
卓越的开关性能通过额外的驱动源引脚
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