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ROHM SEMICONDUCTOR 二极管

ROHM Semiconductor RBRxxBGE肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-07-29

摘要： 具有硅外延平面结构，30V、40V或60V重复峰值反向电压。

ROHM Semiconductor RBRxxBGE肖特基势垒二极管具有硅外延平面结构和30V、40V或60V重复峰值反向电压。该RBRxxBGE肖特基势垒二极管提供高可靠性，低V(F)和阴极普通双型。ROHM RBRxxBGE二极管设计用于开关电源应用。

特性

高可靠性
权力模具类型

阴极共双型
低V (F)

罗门功率二极管家族

包的风格

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