摘要: 具有硅外延平面结构,45V或65V重复峰值反向电压。
ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管具有硅外延平面结构和45V或65V重复峰值反向电压。该RBQxxBGE肖特基势垒二极管提供高可靠性,低IR,和阴极普通双型。ROHM RBQxxBGE二极管设计用于开关电源应用。
高可靠性
权力模具类型
阴极共双型
低我(R)
上一篇:ROHM Semiconductor RBRxxBGE肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用
下一篇:STMicroelectronics NUCLEO-G0B1RE STM32 Nucleo-64开发板的介绍、特性、及应用
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308