英飞凌技术AIKW50N65RF5 CoolSiC 混合IGBT结合650V TRENCHSTOP 5快速开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)与CoolSiC 肖特基二极管。AIKW50N65RF5经过优化，可在快速切换的汽车应用中提高性价比。

一流的IGBT与碳化硅(SiC)二极管的结合为硬开关拓扑构建了一个完美的性价比权衡。由于反向恢复无电荷单极CoolSiC肖特基二极管，IGBT的功率损失将显著减少比纯硅解决方案。这使得混合电源成为系统成本敏感的硬换向应用的首选，如车载充电器应用中的图腾柱拓扑。这些特性为低复杂度的内部设计活动提供了更好的空间。

英飞凌技术AIKW50N65RF5 CoolSiC混合IGBT采用PG-TO247-3封装，符合AEC-Q101/100标准，可用于汽车应用。

特性

• 符合AEC-Q101/100标准

• 硬开关和谐振拓扑中的最佳效率

• 不收取反向或正向回收费用

• 抗浪涌电流强劲

• 650 v电压崩溃

• 低栅电荷(Q(G))

• -40°C至175°C工作结温度范围

• 21毫米x 15.8毫米PG-TO247-3包

• 5.44mm最小端子间距

• Pb-free镀铅;通过无铅认证

应用程序

• 车载充电器

• 功率因数校正(PFC)

• 直流-直流

销的定义,内部原理图

计划大纲

英飞凌电源和传感选择指南