Microchip Technology MSCSM120x MOSFET功率模块是一种高效的转换器，具有Si(3)N(4)衬底和厚铜，以改善热性能。这些模块提供了一个低轮廓，直接安装到散热器(隔离包)，内部热敏电阻温度监测，和扩展的温度范围。MSCSM120x模块工作在1.2kV反向电压(V(R))， -10V至25V的门源电压范围(V(GS))， 310W/560W的功耗(P(D))，和79A/150A的持续漏极电流(I(D))。这些模块用于高可靠性的电力系统，高效率的AC/DC和DC/AC转换器，电机控制和交流开关等应用。

特性

• 碳化硅功率MOSFET:

• 低R (DS(上))

• 高速开关

• 碳化硅肖特基二极管:
  

• 零反向恢复

• 零正向恢复

• 温度无关开关行为

• V(F)上正温度系数

• 超低重量和外形

• 开尔文源，便于驱动

• Si(3)N(4)衬底与厚铜改善热性能

• 内置热敏电阻，温度监测

• 扩展的温度范围

• 高效的转换器

• 高频操作表现突出

• 直接安装到散热器(隔离包)

• 通过无铅认证

• 可焊接电源和信号端子，便于PCB安装

• 综合电力转换系统

规范

• 1.2kV反向电压(V(R))

• -10V至25V栅源电压范围(V(GS))

• 310W/560W功耗(P(D))

• 79A/150A连续漏极电流(I(D))

• 30 ns上升时间

• 25 ns下降时间

• 16毫欧/31毫欧 R(DS(ON))漏源电阻

• 工作温度范围-55°C至175°C

应用程序

• 高可靠性的电力系统

• 高效的AC/DC和DC/AC转换器

• 电机控制

• AC开关