富士通半导体电阻式随机存取存储器(restive Random Access Memory)是一种超高密度、非易失性存储器，平均读取电流极小。具有SPI接口，ream可在1.6V到3.6V的供电电压范围内工作。电气规格，如命令和计时，与EEPROM产品兼容。这些设备的高密度和低功耗使它们成为小型、电池供电的可穿戴设备的理想选择，如助听器、智能手表和智能眼镜。

富士通半导体的ReRAM采用与eeprom兼容的8针小外形封装(SOP)。

特性

• 串行外设接口

• 工作电源电流(典型)

• 写当前:1.5 ma

• 读取当前:0.15 ma

• 待机电流:60µ

• 睡眠当前:6µ

• 10 mhz工作频率

• 数据耐力:1 × 10(6)次/ 4字节

• 数据保存时间:10年(+85°C)

• 工作电源电压为1.6V至3.6V

• 工作环境温度范围-40°C至+85°C

• SOP-8包

应用程序

• 助听器

• Smartwatches

• 智能眼镜

• 医疗这套

资源

• 富士通半导体FRAM/ReRAM简介

• 富士通半导体存储器解决方案概要

ReRAM的位置