Alliance Memory PC48F Parallel NOR Flash Memory Device是一种高速接口设备，在更少的空间中提供更高的密度，支持代码和数据存储。该存储设备具有高性能的同步突发读取模式、增强的架构和接口、快速的异步访问时间、低功耗和灵活的安全选项。PC48F Flash存储器采用Micron 65nm工艺制造，在16位数据总线上提供低电压高性能。当初始启动时，这个内存设备默认为异步页面模式读取，并且配置读取配置寄存器允许同步突发模式读取。PC48F闪存设备采用了快速的工厂程序和ERASE操作技术。该设备还支持在低电压下用V(CC)进行READ操作，在低电压或V(PPH)下用V(PP)进行ERASE和PROGRAM操作。

缓冲增强工厂编程(BEFP)提供了最快的Flash阵列编程性能VPP在VPPH。这有助于增加工厂的吞吐量。PC48F闪存设备具有一个命令用户界面，该界面出现在系统处理器和存储设备的所有内部操作之间。该存储设备自动执行块擦除和程序所需的算法和计时。PC48F闪存设备提供绝对写保护，功率转换擦除/程序锁定，单独的零延迟块锁定和单独的块锁定。单个块锁定特性提供零延迟的块锁定和解锁。这个内存设备还包括通过密码访问增强的保护，支持用户定义块的写和/或读访问保护。

特性

• 高性能：

• Easy BGA的95ns初始访问

• TSOP初始访问时间为105ns

• 25ns 16字异步页面读取模式

• 52MHz (Easy BGA)，零WAIT状态，17ns时钟到数据输出同步突发读取模式

• 4-， 8-， 16-，和连续字的突发模式选项

• 使用512字缓冲区，以每秒2MB(典型)的速度缓冲增强工厂编程(BEFP)

• 3V缓冲编程，使用512字缓冲，速度为1.14 MB/s(典型)

• 体系结构：

• 密度最高，成本最低

• 多层陶瓷:

• 不对称屏蔽结构

• 4个32KB的参数块:

• 顶部或底部配置

• 128 kb主要街区

• 空白检查来验证被擦除的块

• 安全：

• 64 OTP位，编程与独特的信息从美光和2112 OTP位可用于客户编程

• 一次性可编程寄存器:

• 绝对写保护:V(PP) = V(SS)

• 权力过渡擦除/项目停摆

• 独立的零延迟块锁定

• 个体块小看

• 密码访问

• 软件：

• 
  

• 25μs(典型)程序暂停

• 25μs(典型)擦除暂停

• Flash数据集成商优化

• 兼容基本命令集和EFI命令集

• 常见的flash界面

规范

• 电压和功率：

• 21mA(典型)，24mA(最大)

• 2.3V ~ 3.6V V(CC)(芯)电压

• 2.3V ~ 3.6V V(CCQ) (I/O)电压

• 65µA(典型)待机电流为256Mb

• 52MHz连续同步读取电流:

• 密度和包装：

• 56导联TSOP封装(仅256Mb)

• 64球轻松BGA包(256Mb, 512Mb)

• QUAD+和SCSP软件包(256Mb, 512Mb)

• 16位宽数据总线

• 质量和可靠性：

• JESD47兼容

• -40°C至85°C的工作温度范围

• 每个块至少100,000个ERASE周期

• 65纳米工艺

简单的BGA框图