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摘要： 在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。
ROHM Semiconductor RGW 650V场阻沟槽igbt在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。RGW igbt具有高速交换、低交换损耗、内置快速软恢复FRD等特点。ROHM RGW 650V现场停止沟槽igbt是理想的太阳能逆变器，UPS，焊接，IH和PFC应用。
集电极-发射极饱和电压低
高速开关
低开关损耗，软开关
内置非常快速和软恢复FRD
Pb-free镀铅
通过无铅认证
太阳能逆变器
联合包裹
焊接
IH
PFC
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