IXYS IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M x2级功率mosfet具有650V漏源击穿电压和34A或48A连续漏极电流。IXYS IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M mosfet是n通道增强模式，雪崩额定设备，工作在-55°C到+150°C的工作温度范围。应用包括开关模式和谐振模式电源，DC-DC转换器，激光驱动器等。

特性

• 塑料超模制表片用于电气隔离

• 雪崩额定

• 快内在二极管

• 2500 v ~电气隔离

• 低包电感

应用程序

• 开关模式和谐振模式电源

• 直流-直流转换器

• 激光驱动程序

• 交流和直流电机驱动

• 机器人技术和伺服控制

规范

• 650V漏源击穿电压

• 连续的漏极电流
  

• 34 (IXTQ34N65X2M)

• 48 (IXTQ48N65X2M)

• 漏源电阻R (DS  )
  

• ≤96欧姆(IXTQ34N65X2M)

• ≤65欧姆(IXTQ48N65X2M)

• 工作温度范围-55°C至+150°C