ROHM Semiconductor  RV4E031RP HZG小信号MOSFET具有低导通电阻，小的高功率封装和低电压驱动。这个MOSFET是100% UIS测试，包括一个可湿的侧面，用于自动光学焊接检测(AOI)。RV4E031RP HZG信号MOSFET工作在-55°C至150°C的结温范围和存储温度范围。这种MOSFET提供-30V漏源极电压，±3.1A连续漏极电流，和1.5W的功耗。典型的应用包括开关电路、高侧负载开关和高速线路驱动器。

特性

• 低导通电阻

• 小型大功率封装

• -4V低压驱动

• 100%的用户界面测试

• 用于自动光学焊锡检测(AOI)的可湿侧面

• 130μm保证电极部分

规范

• -55°C至150°C的结温范围

• -30 v漏源极电压

• ±3.1A连续漏极电流

• 1.5 w的功率损耗

• ±12A脉冲漏极电流

应用程序

• 开关电路

• 高侧负载开关

• 高速铁路司机

线路图