亚德诺半导体ADRF5519 20W Receiver Front End是一款双通道集成射频前端多芯片模块，设计用于从2.3GHz到2.8GHz的时分双工(TDD)应用。ADRF5519采用双通道配置，具有级联二级低噪声放大器(LNA)和大功率硅单极双掷开关(SPDT)。

在高增益模式下，级联的两级LNA和开关提供低噪声系数(NF)为1.0dB，在2.6GHz时获得35dB的高增益，输出三阶截距点(OIP3)为32dBm(典型)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在较低的36mA电流下提供14dB的增益。在下电模式下，LNAs处于关闭状态，设备吸取12mA。

在发射操作中，射频输入分别连接到一个终端引脚(ANT-CHA或ANT-CHB连接到TERM-CHA或TERM-CHB)。该交换机提供0.5dB的低插入损耗，并在全生命周期运行时处理43dBm的长期演进(LTE)平均功率(9dB峰值平均比(PAR))。模拟器件ADRF5519采用rohs兼容，紧凑，6mm × 6mm, 40引脚LFCSP封装。

特性

• 集成双通道射频前端

• 2级LNA和大功率硅SPDT开关

• 片上偏置与匹配

• 单电源操作

• 高功率处理在T(CASE) = 105°C

• LTE平均功率(9dB PAR)全寿命(43dBm)

• 获得

• 在2.6GHz高增益模式下，35dB典型

• 在2.6GHz低增益模式下，典型的14dB

• 低噪声图

• 1.0dB典型在2.6GHz高增益模式下

• 1.0dB典型的2.6GHz低增益模式

• 高的隔离

• RXOUT-CHA和RXOUT-CHB(典型45dB)

• TERM-CHA和TERM-CHB(典型60dB)

• 0.5dB，在2.6GHz时插入损耗低

• 32dBm典型的高OIP3

• 关机模式和低增益模式

• 低电源电流

• 110mA典型在5V高增益模式下

• 36mA典型的5V低增益模式

• 在5V断电模式下典型的12mA

• 积极的逻辑控制

• 6mm × 6mm, 40引脚LFCSP封装

• 引脚兼容ADRF5545A和ADRF5549 10W版本

应用程序

• 无线基础设施

• TDD海量多输入多输出有源天线系统

• TDD-based通信系统

原理框图