Micro Commercial Components (MCC) MIW40Nxx场阻沟槽igbt是低V(CE(sat))具有正温度系数和快速开关igbt。这些igbt在25°C支持40A二极管正向电流，最大电压为650V和1200V，促进低导通和低开关损耗。MIW40Nxx igbt具有高强度、热稳定性好、参数分布紧凑等特点。典型的应用是逆变器、电机和可再生能源所需的半桥或全桥拓扑。

特性

• 低电压(CE(sat))和快速开关动作

• V(CE(sat))具有正的温度系数

• 高强度

• 良好的热稳定性

• 非常紧的参数分布

• 无卤和无铅

• 环氧树脂符合UL 94v -0可燃性等级

• 通过无铅认证

规范

• 可在V(CE)变种:

• 650 v (MIW40N65）

• 1200 v (MIW40N120）

• 二极管正向电流(I(F)):

• 40A @ 25°C (T(C))

• 20A @ 100℃(T(C))

• -55°C至150°C的工作温度范围

• 40°C/W热阻(结环境)

• 0.45°C/W IGBT热阻(结到外壳)

• 二极管热阻:

• 1.25°C/W(连接到外壳- MIW40N65)

• 0.8°C/W(连接到外壳- MIW40N120)

内部结构

尺寸图