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摘要： 在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。
ROHM Semiconductor RGTV 650V场阻沟槽igbt在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。RGTV igbt具有高速切换、低开关损耗和2μs的短路耐受时间。ROHM RGTV 650V现场停止槽igbt是理想的太阳能逆变器，UPS，焊接，IH和PFC应用。
集电极-发射极饱和电压低
切换速度快，开关损耗低
抗短路时间2μs
Pb-free镀铅
通过无铅认证
太阳能逆变器
联合包裹
焊接
IH
PFC
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