ROHM Semiconductor  RTF016N05FRA小信号MOSFET具有低导通电阻，内置G-S保护二极管，和无铅镀铅。这种MOSFET可在TUMT3小表面安装包，是AEC-Q101合格。RTF016N05FRA MOSFET提供45V漏源极电压，±1.6A连续漏极电流，±6.4A脉冲漏极电流。这种MOSFET工作在-55°C至150°C的结温度范围和存储温度范围。RTF016N05FRA信号MOSFET是理想的开关使用。

特性

• 低导通电阻

• 内置G-S保护二极管

• TUMT3小表面贴装包

• Pb-free镀铅

• 通过无铅认证

• AEC-Q101合格

规范

• 45 v漏源极电压

• ±1.6A连续漏极电流

• ±6.4A脉冲漏极电流

• -55°C至150°C工作结温度范围

• 0.8 w的功率损耗

• 190毫欧最大通态电阻

线路图