ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET的介绍、特性、及应用

ROHM MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-07-15

摘要： 无铅化电镀，低导通电阻，HSOP8小表面贴装封装。

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET具有无铅电镀、低导通电阻和HSOP8小表面贴装封装。该MOSFET工作在-55°C至150°C的温度范围内，-40V漏源极电压，±80A脉冲漏极电流，±20V栅源极电压。RS1G201ATTB1功率MOSFET是理想的负载切换使用。

特性

低导通电阻
HSOP8小型表面贴装封装

Pb-free镀
通过无铅认证

规范

-55°C至150°C的工作温度范围
-40 v漏源极电压
±80A脉冲漏极电流

±20 v gate-source电压
40 w的功率损耗
150°C结温

内部电路

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：Bourns AEC-Q200屏蔽功率电感器的介绍、特性、及应用

下一篇：欧姆龙电子B5W-DB漫反射传感器的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308