东芝SSM3J3xx汽车mosfet是AEC-Q101合格的硅p沟道mosfet，支持广泛的汽车应用。应用包括电源管理开关。mosfet封装在SOT-23F封装中，SOT-23F封装是东芝专有的平面引线特性封装。这通过增加封装和印刷电路板(PCB)之间的热下沉接触面积来改善散热。在苛刻的热环境下的安装质量和可靠性通常是扁引线型封装需要考虑的问题。SOT-23F包确保满足汽车应用的热循环要求，同时保持SOT-23包的足迹兼容性。

特性

• AEC-Q101合格

• 栅驱动电压1.5V

• SSM3J378R

• R(DS(ON)) = 88.4毫欧 (max) (@V(GS) = -1.5V)

• R(DS(ON)) = 56.0毫欧 (max) (@V(GS) = -1.8V)

• R(DS(ON)) = 39.7毫欧 (max) (@V(GS) = -2.5V)

• R(DS(ON)) = 29.8毫欧 (max) (@V(GS) = -4.5V)

• 漏源极低导通电阻

• SSM3J377R

• R(DS(ON)) = 240毫欧 (max) (@V(GS) = -1.5V)

• R(DS(ON)) = 168毫欧 (max) (@V(GS) = -1.8V)

• R(DS(ON)) = 123毫欧 (max) (@V(GS) = -2.5V)

• R(DS(ON)) = 93毫欧 (max) (@V(GS) = -4.5V)

• 漏源极低导通电阻

• SSM3J375F

• R(DS(ON)) = 311毫欧 (max) (@V(GS) = -1.5V)

• R(DS(ON)) = 231毫欧 (max) (@V(GS) = -1.8V)

• R(DS(ON)) = 179毫欧 (max) (@V(GS) = -2.5V)

• R(DS(ON)) = 150毫欧 (max) (@V(GS) = -4.5V)

• 漏源极低导通电阻

• SSM3J372R

• R(DS(ON)) = 144毫欧 (max) (@V(GS) = -1.8V)

• R(DS(ON)) = 72.0毫欧 (max) (@V(GS) = -2.5V)

• R(DS(ON)) = 50.0毫欧 (max) (@V(GS) = -4.5V)

• R(DS(ON)) = 42.0毫欧 (max) (@V(GS) = -10V)

• 漏源极低导通电阻
  

• SSM3J351R

• R(DS(ON)) = 107毫欧 (typ.) (V(GS) = -10V)

• R(DS(ON)) = 122毫欧 (typ.) (V(GS) = -4.5V)

• R(DS(ON)) = 129毫欧 (typ.) (V(GS) = -4.0V)

• 漏源极低导通电阻

• SSM3J356R

• R(DS(ON)) = 400毫欧 (max) (@V(GS) = -4.0V)

• R(DS(ON)) = 300毫欧 (max) (@V(GS) = -10V)

• 漏源极低导通电阻

应用程序

• 电源管理交换机