德州仪器UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款功能安全兼容，隔离，高度可配置的单通道栅极驱动器，用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护，如基于分流电阻的过流，基于NTC的过温，和DESAT检测，包括在这些故障时可选择的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用范围，德州仪器UCC5870-Q1在开关过程中集成了4A有源米勒钳，在驱动器无电状态下集成了有源栅极下拉。集成的10位ADC可以监控多达6个模拟输入和门驱动器温度，以增强系统管理。集成了诊断和检测功能，简化了ASIL-D兼容系统的设计。这些特性的参数和阈值可以使用SPI接口进行配置，这允许设备使用几乎任何SiC MOSFET或IGBT。

特性

• 分裂输出驱动器提供15A峰值源和15A峰值sink电流

• 可调“在飞”门驱动强度

• 联锁和射穿保护与150ns(最大)传播延迟和可编程的最小脉冲抑制

• 一次和二次侧有源短路(ASC)支持

• 可配置功率晶体管保护

• 基于DESAT的短路保护

• 基于分流电阻的过流和短路保护

• NTC超温保护

• 功率晶体管故障时可编程软关断(STO)和两级关断(2LTOFF)

• 集成诊断:文档可帮助ISO26262系统设计到ASIL-D

• 保护比较器内置自检(BIST)

• IN+到晶体管栅路的完整性

• 功率晶体管阈值监测

• 内部时钟监控

• 输出故障告警(nFLT1)和警告(nFLT2)

• 集成4A有源米勒钳或可选外部驱动米勒钳晶体管

• 先进的高压夹紧控制

• 内部和外部电源欠压和过压保护

• 有源输出下拉和默认低输出低供应或浮动输入

• 驱动模温传感及超温保护

• 当V(CM) = 1000V时，100kV/µs最小共模瞬态免疫(CMTI)

• 基于SPI的设备重构、验证、监督和诊断

• 集成10位ADC功率晶体管温度，电压和电流监测

• 认证

• 每UL1577(计划)3750V(RMS)隔离1分钟

应用程序

• 大功率igbt和SiC mosfet

• 混合动力和电动汽车牵引逆变器

• HEV和EV动力模块

简化的示意图