GeneSiC Semiconductor 3300V SiC mosfet提供快速和高效的开关，减少振铃在一个优化的封装与单独的驱动源引脚。3300V SiC mosfet被设计成与商业栅极驱动器兼容，并在没有热失控的情况下提供轻松的并联。3300V SiC mosfet在所有温度下提供低导通损失，允许卓越的鲁棒性和系统可靠性。

特性

• 软R(DS(ON)) v/s温度依赖性

• LoRing -电磁优化设计

• 小R(G(INT))和小Q(G)

• 低器件电容(C(OSS) C(RSS))

• 行业领先的UIL和短路稳健性

• 低V(F)和低Q(RR)稳健性体二极管

• 通常不稳定温度可达175°C

• 优化包与单独的驱动源引脚

应用程序

• 牵引

• 太阳能逆变器字符串

• EV -快速充电器

• 脉冲功率

• 开关电源

• 能量储存

• 固态变形金刚

• 固态断路器