意法半导体STDRIVEG600半桥门驱动器是一款用于GaN(氮化镓)eHEMTs(增强模式高电子迁移率晶体管)或n沟道功率mosfet的单芯片半桥门驱动器。STDRIVEG600的高侧设计可以承受高达600V的电压，适用于总线电压高达500V的设计。该器件是驱动高速GaN和硅fet的理想器件，因为它具有高电流能力，短传播延迟，并可在低于5V的供电电压下运行。

STDRIVEG600具有UVLO(欠压锁定)保护在下部和上部驱动部分，防止电源开关在低效率或危险条件下运行。该装置还包括一个联锁功能，消除交叉传导条件。

逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3V，便于与微控制器和dsp接口。

STMicroelectronics STDRIVEG600半桥门驱动器采用SO-16封装，工作结温度范围为-40°C至150°C。

特性

• 驱动电流的能力

• 1.3A/2.4A源/汇典型在25°C, 6V

• 5A/6A源/汇典型在25°C, 15V

• 分离开和关栅驱动器引脚

• 45ns的传输延迟与紧密匹配

• 3V, 5V TTL/CMOS滞后输入

• 联锁功能

• 在低侧和高侧部分的UVLO

• 专用引脚用于关闭功能

• 过热保护

• ±200 v / ns dV / dt免疫力

• -40°C至+150°C工作结温度范围

• 所以16包

应用程序

• 高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器

• 开关型电源

• UPS系统

• 太阳能发电

• 电机驱动器用于家用电器，工厂自动化，和工业驱动器

框图

典型的应用程序图

计划大纲