亚德诺半导体ADRF6650双下变频集成了双混频器、双数字开关衰减器、双数字可变增益放大器、锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。此外，ADRF6650集成了两个射频(RF)平衡器、串行增益控制(SGC)控制和用于时分双工(TDD)操作的快速使能输入。

片上射频不平衡使ADI ADRF6650双下变频支持50欧姆端接射频输入。集成无源混频器提供了一个高度线性下变频200MHz，滑动，中频(IF)窗口。ADRF6650采用宽频方波限制本振(LO)放大器，实现450MHz至2700MHz的射频带宽。与传统的窄带正弦波LO放大器解决方案不同的是，该放大器允许LO可以应用在RF输入上或下的宽带宽范围内。

ADRF6650采用先进的硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺设计。该器件采用56引线，符合rohs标准，8mm × 8mm，引线框架芯片规模封装(LFCSP)封装，外露衬垫。性能规定在-40°C至+105°C的最大叶片温度。

特性

• 集成分数- n PLL/VCO的双下变频器

• 450MHz至2700MHz连续射频

• 450MHz至2900MHz，高侧或低侧注入LO频率

• 43dB增益控制范围

• 增益控制与上/下和SPI

• 集成RF balun单端50欧姆输入

• 3.3V和5V供电

• 8mm × 8mm, 56引脚LFCSP封装

应用程序

• 多波段/多标准蜂窝基站分集接收机

• 宽带无线电链路分集下行转换器

• 多模细胞扩展器和皮细胞

原理框图