Mini Circuits TAV1-551+超低噪声E-PHEMT晶体管是一种低噪声、高增益器件，使用E-PHEMPT技术制造，使其能够在一个正电源电压下工作。占地面积小，在密集布局中节省空间，同时提供低电感，可重复转换，并与PCB良好的热接触。它具有出色的噪声数字，特别是在2.5GHz以下，当将这个噪声数字与单个设备的增益相结合时，它使其成为多种应用的理想放大器。

特性

• 超低噪音

• 弱电流

• 高OIP3

• 通过无铅认证

• 体积小，MCLP包装

• 宽的带宽

• 需要外部偏置和匹配

应用程序

• 细胞

• 供应管理协会(ISM)

• GSM

• WCDMA

• WiMax

• 无线局域网

• UNII和HIPERLAN

规范

• 0.5dB ~ 0.9GHz噪声

• 20.9dB典型，增益0.9GHz

• +22dBm典型0.9GHz OIP3

• 工作栅电压为0.22V至0.46V

• 0.18V到0.38V的阈值电压

• 最大饱和漏极电流

• 最大栅极漏电流

• 漏源极最大电压5V

• -5V到0.7V的最大栅源和栅漏电压范围

• 100mA最大漏极电流

• 最大栅极电流2mA

• 最大总耗散功率360mW

• 17dBm射频输入功率

• 最大热阻+160°C/W

• 温度

• + 150°C通道温度

• -40°C至+85°C的工作范围

• -65°C至+150°C的存储范围