NXP Semiconductors TEA2209T有源桥式整流控制器是为了取代传统的二极管桥式而设计的。使用TEA2209T与低欧姆高压外部mosfet显著提高功率变换器的效率，因为典型的整流二极管前向导通损失被消除。此外，TEA2209T还包括x电容放电功能。为了在待机状态下降低功耗，通过COMP引脚的外部信号可以使TEA2209T失效。

TEA2209T控制器用于将升压型功率因数控制器作为第一级的电源。第二阶段可以是谐振控制器，反激控制器，或任何其他控制器拓扑。可用于任何需要高效率的电源。

NXP半导体TEA2209T有源桥式整流控制器提供了SO16封装，并在绝缘体上的硅(SOI)工艺制造。

特性

• 效率特性

• 消除了二极管整流桥的正向导电损耗

• 超低2mW IC功耗

• 应用程序功能

• 集成的高压电平移频器

• 直接驱动所有四个整流mosfet

• 非常低的外部零件计数

• 集成2mA x电容放电

• 自给的

• 全波驱动改善总谐波失真(THD)

• 控制功能

• 禁用所有外部功率mosfet的功能

• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定(UVLO)

• 所有外接功率mosfet的漏源过电压保护

• 所有外接功率mosfet在启动时的栅下拉电流

• 物理特性

• -40°C至+125°C的结温范围

• SO16小外形包;16领先;身体宽3.9毫米

应用程序

• 适配器

• 桌面PC和一体机电源

• 显示器电源

• 服务器电源

框图

典型的配置

程序图

计划大纲