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IXYS 600 V Ultra Junction X3 HiPerFET 分立mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-03-11

摘要: IXYS的x3级n通道mosfet提供低导通电阻[RDS(ON)]和栅电荷(Qg)


IXYS是Littelfuse技术公司,提供n通道超结mosfet,具有优异的性能(R(DS(ON))乘以Q(g)),转换为最低的导通和开关损耗,在电力系统中允许更高的功率密度和能源效率。最新的超结x3级功率mosfet具有显著降低通道电阻R(DS(ON))和栅电荷Q(g)。与之前的x2级相比,这个家族的优点值(FOM) - R(DS(ON)) x Q(g)显著减少。这些优点使设计人员能够实现更高的效率和增加的功率密度。这个HiPerFET 系列功率mosfet具有体二极管,提供低反向恢复电荷(Q(RM))和短反向恢复时间(t(rr))。Ultra junction, x3级600v mosfet可以用于应用,包括电信电源的同步整流,电机控制,不间断电源,DC-DC转换器,太阳能逆变器,和多电平逆变器。


资源

  • 功率半导体产品目录

  • 工业电机驱动和软起动器

  • 智能LED照明


特性

  • 低通电阻[R(DS(ON))]和栅电荷(Q(g))

  • 快速软恢复体二极管

  • dv / dt强度

  • 优越的雪崩能力

  • 国际标准包装


应用程序

  • 轻型电动汽车的电池充电器

  • 开关同步整流

  • 电力供应

  • 电机控制

  • 直流-直流转换器

  • 不间断电源(UPS)

  • 电动叉车

  • d类音频放大器

  • 电信系统

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