摘要: IXYS的x3级n通道mosfet提供低导通电阻[RDS(ON)]和栅电荷(Qg)
IXYS是Littelfuse技术公司,提供n通道超结mosfet,具有优异的性能(R(DS(ON))乘以Q(g)),转换为最低的导通和开关损耗,在电力系统中允许更高的功率密度和能源效率。最新的超结x3级功率mosfet具有显著降低通道电阻R(DS(ON))和栅电荷Q(g)。与之前的x2级相比,这个家族的优点值(FOM) - R(DS(ON)) x Q(g)显著减少。这些优点使设计人员能够实现更高的效率和增加的功率密度。这个HiPerFET 系列功率mosfet具有体二极管,提供低反向恢复电荷(Q(RM))和短反向恢复时间(t(rr))。Ultra junction, x3级600v mosfet可以用于应用,包括电信电源的同步整流,电机控制,不间断电源,DC-DC转换器,太阳能逆变器,和多电平逆变器。
资源
功率半导体产品目录
工业电机驱动和软起动器
智能LED照明
特性
低通电阻[R(DS(ON))]和栅电荷(Q(g))
快速软恢复体二极管
dv / dt强度
优越的雪崩能力
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